El cristal KTP HGTR (alta pista anti-gris) desarrollado por el método hidrotérmico supera el fenómeno común de electrocromismo del KTP producido por flujo, por lo tanto tiene muchas ventajas, como alta resistividad eléctrica, baja pérdida de inserción, bajo voltaje de media onda, alto daño del láser umbral y banda ancha de transmisión.

Las células KTP Pockels fabricadas con cristal HGTR-KTP se utilizan principalmente en láseres de pulso con un ancho de pulso estrecho y alta frecuencia de repetición. Dando ventajas de alta relación de extinción, bajo voltaje de media onda y sin efecto de timbre piezoeléctrico bajo alta frecuencia de repetición, las células KTP Pockels son ampliamente utilizadas en el rango láser, láser lidar, láser médico y láser industrial, etc.

WISOPTIC proporciona consultas técnicas, servicio de diseño, muestras de prueba personalizadas y productos estándar de entrega rápida de células KTP Pockels.

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Ventajas de WISOPTIC de KTP Pockels Cell

• Amplio ancho de banda óptico (0.5-3μm)

• Baja pérdida de inserción

• Bajo voltaje de media onda

• Bajo voltaje de operación

• Alta relación de extinción

• umbral de daño láser muy alto

• Sin efecto de timbre piezoeléctrico

• Conmutación precisa en láser de alta frecuencia repetitiva con controladores de voltaje súper rápidos

• Diseño con compensación térmica para operar en un amplio rango de temperatura

• Diseño compacto, muy fácil de montar y ajustar.

• Cristal KTP de calidad con alta resistencia medioambiental y larga vida útil.

Datos técnicos de WISOPTIC de KTP Pockels Cell

Tamaños de uno de los pares de KTP (mm)	Corte X		Corte en Y		Resistividad electrica (Ohmios · cm)
	HWV @ 1064nm (V)	Relación de extinción @ 633 nm (dB)	HWV @ 1064nm (V)	Relación de extinción @ 633 nm (dB)
3 × 3 × 10	1200	> 20	1000	> 20	> 1011
4 × 4 × 10	1600	> 20	1300	> 20	> 1011
5 × 5 × 10	2000	> 20	1600	> 20	> 1011
6 × 6 × 10	2300	> 20	1900	> 20	> 1011
7 × 7 × 10	2700	> 20	2200	> 20	> 1011
8 × 8 × 10	3100	> 20	2500	> 20	> 1011
9 × 9 × 10	3500	> 20	2800	> 20	> 1011
Umbral de daño: > 600 MW / cm2 para pulsos de 10 ns a 1064 nm (recubrimiento AR)