DKDP POCKELS CELL
Debido a que los cristales DKDP son propensos a ser delicuescentes y tienen propiedades mecánicas deficientes, la celda DKDP Pockels con excelente rendimiento tiene requisitos extremadamente altos para la selección del material DKDP, la calidad del procesamiento del cristal y la técnica de montaje del interruptor. La célula DKDP Pockels de alto rendimiento desarrollada por WISOPTIC ha sido ampliamente utilizada en láseres cosméticos y médicos de alta calidad producidos por algunas compañías distinguidas en China, Corea, Europa y EE. UU.
WISOPTIC ha recibido varias patentes por su tecnología de células DKDP Pockels, como la célula integrada de Pockels (con polarizador y placa de onda λ / 4 en el interior) que se puede ensamblar fácilmente en el sistema láser Nd: YAG y ayuda a hacer que la cabeza del láser sea más compacta. Y más barato.
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Ventajas de WISOPTIC - DKDP Pockels Cell
• Cristal DKDP altamente deuterado (> 98.0%)
• Diseño compacto
• Muy fácil de montar y ajustar
• Ventanas de sílice fundida de grado UV premium
• alta transmisión
• Alta relación de extinción
• Alta capacidad de desconexión
• Amplio ángulo de adaptación
• Alto umbral de daño por láser
• Buen sellado, alta resistencia al cambio ambiental
• Robusto, larga vida útil (garantía de calidad de dos años)
Producto estándar WISOPTIC - DKDP Pockels Cell
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Código modelo |
Apertura clara |
Dimensión total (mm) |
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IMA8a |
Φ8 mm |
Φ19 × 24 |
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IMA8b |
Φ8 mm |
Φ19 × 24.7 |
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IMA10a |
Φ10 mm |
Φ25.4 × 32 |
|
* IMA10Pa |
Φ10 mm |
Φ25.4 × 39 |
|
* IMA11Pa |
Φ11 mm |
Φ28 × 33 |
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IMA13a |
Φ13 mm |
Φ25.3 × 42.5 |
* Serie P: con diseño adicional para paralelismo.
Datos técnicos de WISOPTIC - DKDP Pockels Cell
| Apertura clara |
8 mm |
10 mm |
12 mm |
13 mm |
| Pérdida de inserción de un solo pase |
<2% @ 1064 nm |
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| Relación de contraste intrínseco |
> 5000: 1 a 1064 nm |
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| Relación de contraste de voltaje |
> 2000: 1 @ 1064 nm |
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| Distorsión de frente de onda |
<l / 6 @ 633 nm |
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| DC capacitancia |
<4.5 pF |
<5.0 pF |
<5.5 pF |
<8.0 pF |
| Voltaje DC de cuarto de onda |
3200 +/- 200 V @ 1064 nm |
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| Transmisión de un solo paso |
> 98.5% |
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| Umbral de daño láser |
750 MW / cm2 [Recubrimiento AR @ 1064nm, 10ns, 10Hz] |
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